干法电极工艺（干法电极工艺技术特点有哪些）

本文目录一览：

1、干法工艺和湿法工艺有什么区别2、半导体光刻工艺之刻蚀——干法刻蚀3、熄焦的干法熄焦过程的流程

干法工艺和湿法工艺有什么区别

湿法工艺是指在鲜奶液态下进行各种原材料的混合，再经均质真空浓缩、高压喷雾干燥等工序加工成粉状。干法的生产工艺比较简单，将粉状婴幼儿配方食品的配料成分，在干燥状态下进行处理与混合而制成最终产品的生产工艺。

干法是指将鲜牛奶混合成干粉，加入各种营养物质，最后灌装成成品。 该工艺生产的奶粉中的营养成分容易混合不均匀，一般进口奶粉采用干法工艺。

奶粉的生产工艺分为两种：一种是干法工艺，一种是湿法工艺。干法工艺是指将鲜牛奶打成干粉的状态下混合加入各种营养元素，最后灌装成品。这种工艺出来的奶粉营养物质容易混合不均匀，一般的进口奶粉多采用干法工艺。

采用干法工艺生产奶粉的企业一般没有自己的牧场，主要通过直接购买原料基粉配上各种营养混合搅拌制成。而湿法工艺的生产过程就是按比例将鲜牛乳与液态营养素进行混合，经过高温蒸发干燥后的乳液到达塔底就成为奶粉。

半导体光刻工艺之刻蚀——干法刻蚀

因为在刻蚀中并不使用溶液，所以称之为干法刻蚀。干法刻蚀因其原理不同可分为两种，一种是利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀，也称为等离子体刻蚀。

对于采用微米级和亚微米量级线宽的超大规模集成电路，刻蚀方法必须具有较高的各向异性特性，才能保证图形的精度，但湿法刻蚀不能满足这一要求。干法刻蚀 70年代末研究出一系列所谓干法刻蚀工艺。

大部份的湿蚀刻液均是等向性，换言之，对蚀刻接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好蚀刻掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；只要蚀刻配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。

影响器件的性能。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术，该参数增加刻蚀速率对刻蚀材料的表面粗糙度产生影响，进而影响器件的性能。刻蚀是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。

等离子体刻蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅极（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。

熄焦的干法熄焦过程的流程

1、（1）干法熄焦过程：干法熄焦过程是用循环惰性气体为热载体，由循环风机将冷的循环气体输入赤热焦碳冷却室，将高温焦炭冷却至250℃以下排出。吸收焦炭热量后的循环热气导入废热锅炉回收热量，产生蒸汽。

2、传统湿法熄焦即水熄焦，简单的理解就是用水作为冷却介质把炽热的焦炭熄灭对其进行降温的方法，熄焦时产生的水蒸汽排向大气，同时会伴随产生大量酚、氰等有毒有害物质，这种工艺系统不能回收红焦热量。

3、炼焦车间的任务是把焦煤装入焦炉并干馏得到的一种多孔碳质固体—焦炭，经推焦车推出并运送到熄焦塔(洒水熄焦或干熄焦)，最后筛分送焦槽。回收车间一般包括鼓风冷凝工段、硫铵工段、吡啶工段、溶剂脱酚工段和粗苯工段。

干法