半导体电极（半导体电极技术成熟度分析）

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1、三极管的发射极和集电极有何区别?2、p型半导体在外加正向电极电势的条件下产生阴极还是阳极光生电流_百度...3、半导体包括哪些电子元器件?半导体电子元器件详细介绍4、三极管基极的作用是5、作为电极的半导体材料具有什么特性?6、mos是什么

三极管的发射极和集电极有何区别?

对与NPN型三极管，基极电压大于发射极，集电极电压大于基极，就是发射结正偏集电结反偏。对PNP型三极管，基极电压小于发射极，集电极电压小于基极，就是发射结正偏集电结反偏。发射极是半导体三极管的电极。

发射极与集电极是晶体管电路中的重要组成部分，它们在电路中的作用和特性有所不同。1，发射极是指晶体管中的一个电极，它连接着基极和集电极，是电流流出的极。

集电极和发射极之间相当于开关的导通状态，即为三极管的导通状态。开关三极管处于饱和导通状态的特征是发射结，集电结均处于正向偏置。而处于放大状态的三极管的特征是发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。

共集、共基、共射指的是三极管电路的连接状态。“共”就是输入、输出回路共有的部分，共射公基公集放大电路唯一区别就是公共部分不同，其判断是在交流等效电路下进行的。

p型半导体在外加正向电极电势的条件下产生阴极还是阳极光生电流_百度...

1、大于 PN结两端各引出一个电极并加上管壳，就形成了半导体二极管。PN结的P型半导体一端引出的电极称为阳极，PN结的N型半导体一端引出的电极称为阴极。半导体二极管按结构不同可分为点接触型、面接触型和平面型。

2、由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

3、二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极。由N区引出的电极是负极，又叫阴极，二极管的文字符号用VD表示。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

4、在太阳能电池中，会采用P型半导体和N型半导体形成PN结，其中P型半导体作为阳极，N型半导体作为阴极，当阳极和阴极之间有一定的电场时，就会产生电势差，电荷就会向阳极移动，从而形成电流。

5、含有少量杂质，内部结构不很完整的半导体通常可分为n型和p型两类。半导体的p-n结以及半导体同某些金属相接触的边界层，都具有单向导电或在光照下产生电势差的特性。利用这些特性可以制成各种器件，如半导体二极管、三极管和集成电路等。

6、二极管就是用半导体材料制成的一种电子器件，由PN结、外部引线、管壳封装而成，文字符号为VD。

半导体包括哪些电子元器件?半导体电子元器件详细介绍

1、目前半导体元件包括 ： 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。

2、晶体二极管晶体二极管的基本结构是由一块P型半导体和一块N型半导体结合在一起形成一个PN结。双极型晶体管它是由两个PN结构成，其中一个PN结称为发射结，另一个称为集电结。两个结之间的一薄层半导体材料称为基区。

3、锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。

4、简介 半导体器件(semiconductor device)通常，利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极体，晶体二极体的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。

5、半导体元器件（semiconductor device）通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。

6、半导体分立器件，泛指半导体晶体二极管、半导体三极管简称三极管、三极管及半导体特殊器件。

三极管基极的作用是

1、发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

2、三极管的基级是输入信号端子，基极起的作用是控制输出电流的大小。

3、基极（b极）：控制发射极发射载流子的数量。集电极（c极）：用来收集载流子。三极管是一种半导体器件，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

4、基极可以通常的理解为供电电路的地线，是共用的一个平衡点，在放大的时候也做为负级的引入工三极管工作。集电极可以理解为输入，通常是小信号或者比较大的电压。

作为电极的半导体材料具有什么特性?

1、半导体具有特性有：可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。

2、半导体的特征：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。

3、半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。

4、半导体主要具有三大特性：热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗，湿度每升高10度，它的电阻率就要减小到原来的1／2。温度的细微变化，能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。

5、半导体主要有三个特性，即光敏特性.热敏特性和掺杂特性。所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光芒照射时，其导电性能大大增强；光芒移开后，其导电性能大大减弱。

mos是什么

mos是半导体金属氧化物。氧化物半导体具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体。

以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。

MOS是英文“Mean Opinion Score”的缩写，意为“平均意见得分”。这是一种用于衡量音频或视频质量的标准，通常用于评估通信质量、语音质量或音视频传输质量。

mos意思是平均主观意见分。MOS（MeanOpinionScore），平均主观意见分。在国际标准中，统一使用MOS值来评价系统接收到的经过压缩后的话音质量。

MOS是Microsoft Office Specialist的英文开头字母缩写，是微软办公软件使用的国际认证：国际权威职业化办公认证。

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