内存时序（内存时序）

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1、内存时序？是怎样建立内存时序？的

2、内存时序简介

3、内存时序是描述内存模块性能的参数，一般存储在内存模块的SPD中。

4、一般数字“A-B-C-D”对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义如下：CAS潜伏期(简称CL值)记忆CAS潜伏期，是记忆的重要参数之一。有些品牌的内存会在内存的标签上打印CL值；RAS-to-CAS Delay(tRCD)，存储器行地址传输到列地址的延迟时间；RAS预充电延迟(tRP)，存储器行地址选通cas等待时间；有效延迟(tras)，存储器行地址的选通延迟。这是玩家最关心的四个时序调整，大部分主板的BIOS中都可以设置。内存模块制造商还计划推出低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。在相同频率设置下，“2-2-2-5”最低序列时序的内存模块确实可以带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3到5个百分点。

5、内存时序参数介绍

6、存取时序

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时序